Nimonic80A它是一種種鎳基高的溫度錳鋼，大范圍應該用于汽機葉面等高的溫度設備構造件。在高的溫度下極具好的的抗螨性、耐用性和抗空氣氧化性。原建筑材料的高的溫度抗脆性斷裂使用性與原建筑材料的顆粒關于，大顆粒有好處于高的溫度脆性斷裂使用性，小顆粒高的溫度抗脆性斷裂使用性差；針對于繁瑣的顆粒集體，顆粒越繁瑣，原建筑材料的抗脆性斷裂使用性越小，但些許文獻綜述反復強調，首飾設備構造極具小再生顆粒和大再生顆粒的硬度。Nimonic80A各式各樣性再成果會出現在鑄造和另一熱壓扁時中。大多數調查探討取決于，它趨勢于在原單晶體體界限處形核。時間推移壓扁的多，再成果單晶體會急劇多，在原單晶體體界限變成頸鏈狀組成部分，最原大單晶體被小再成果單晶體結合在一起，變成平滑的小單晶體。因此，它行起著進一步細化單晶體度的角色。DRX除非與建材的物理化學完分相關聯的外，到原單晶體度、壓扁溫濕度因素、壓扁量和壓扁率的會直接影響。因此，行進行控住熱壓扁前提，即鑄造施工工藝來控住DRX考慮到控住建材的單晶體組成部分。相關聯文獻資料提過了單晶體度與熱壓扁時彼此的關心。這篇的意圖是調查探討壓扁溫濕度因素和壓扁量在雷同壓扁率前提下對單晶體組成部分的會直接影響，才能得到各式各樣性再成果就開始和完工的臨界值前提，因此控住熱壓扁時中的單晶體組成部分。實驗英文中安全使用的塑料原材料金屬材質晶目數度為30μm均分布的阻止。關鍵在于使金屬材質晶目數成長，塑料原材料率先借助1150C，30min熱處里，回火，但是1065C,8h進行固溶升級的熱處里。熱彎曲變形前的原來阻止為170目數μm均分布阻止。Nimonic80A的有機化學好分(wt%)為C:0.04-0.10，Cr:18.0-21.0，Ti:1.80-2.70，Al:1.00-1.80，Co:≤1.00,Ti+Al:≥3.50,乘余為Ni.廣泛用于熱擠壓的涂料直徑為10μm，高為15μm圓柱形棒。熱和扭曲幾率調查是在Gleeble3500摸擬機子，和扭曲幾率溫度因素為一萬五C-1150心，實際存在和扭曲幾率量為0.22-1.6.--系列的熱和扭曲幾率應力測試已完成后，印刷品沿心中線的縱剖面選取光學玻璃電子顯微鏡觀查。觀查前印刷品機械設備制造鏡面拋光，第二步用蝕化液蝕化。有差異 變型量對結構的干擾圖1顯現變彎室溫為1050C當阻止隨真實應變速率量變化時。(a)變彎量為0.22時，再析出金屬材質晶體大小度出現在原大金屬材質晶體大小度的晶界處，再析出金屬材質晶體大小度度(dpex)為25μm,養成頸鏈構造(b),圖1(C)說明，原因變彎量的不斷加入，原因動態性信息再析出的不斷地對其進行，再析出金屬材質晶體大小度正在逐步不斷加入，再析出體積太份量正在逐步不斷加入，再析出金屬材質晶體大小度度隨變彎量的不斷加入而縮減，變彎量為0.30和0.在60經濟條件下，不同是18μm和11μm。至圖1(d),變彎量為0.92時，原大金屬材質晶體大小度變大，已成為均衡微小的金屬材質晶體大小度構造，動態性信息再析出完全，均衡金屬材質晶體大小度度為9.9μm，再析出金屬材質晶體大小度度需小于其它較小的變彎經濟條件。

總結出形成規律Nimonic80A表達3表達，氯化鈉晶體度度大小成分隨變彎量環境溫的變化有原則有原則，表達3表達。四方形范圍帶表著情況再心得暫未開端，機構為初始大氯化鈉晶體度度大小：半圓形范圍帶表著情況再心得已開端，但暫未進行，機構為項鏈墜成分，信息凸顯更復雜的氯化鈉晶體度度大小分布區：四角形范圍帶表著情況再心得已進行，機構為平滑的小氯化鈉晶體度度大小。圖3信息凸顯，變彎環境溫越高，情況再心得的臨介狀態變彎越低；變彎環境溫高，變彎量大，機構更平滑。對待Nimonic80A對待這樣低層錯能金屬質，在熱變彎環節中更很容易會發生情況再心得。根據高變彎環境溫有助于高極限加速度電子層發展和位錯爬上，以至于增多變彎環境溫可高極限加速度回復環節，故而限制再心得開端的臨介狀態流變應力應變。此外，根據中高溫有助于晶界知識，在1000C在上述所說變彎環境溫下，情況再心得體制其主要主要包括原晶界弓形核），以至于在另外前提相此外，變彎環境溫較高DRX形核率較高，有助于晶界再心得氯化鈉晶體度度大小落實責任堆積物.充當初始大氯化鈉晶體度度大小，轉變成平滑的氯化鈉晶體度度大小成分。此外，再心得氯化鈉晶體度度大小的發育極限加速度越高，再心得氯化鈉晶體度度大小的發育極限加速度越大。在相似的變彎環境溫下，跟隨變彎量的增多，再心得氯化鈉晶體度度大小與原氯化鈉晶體度度大小直接轉變成的新氯化鈉晶體邊緣導致新的核點，再心得氯化鈉晶體度度大小日趨擴充到原氯化鈉晶體度度大小室內，從而轉變成平滑的氯化鈉晶體度度大小成分。

在類似的發生形變工作室溫下，大的發生形變量更有效于變成透亮的晶體空間架構，發生形變量越大，擁有的DRX晶體比越小；當發生形變量類似時，高發生形變工作室溫也更有效于變成透亮的晶體空間架構。發生形變工作溫比越高，擁有的DRX晶體比越大。發生形變量大，發生形變工作室溫高，有效于變成透亮的晶體空間架構。